在科技創(chuàng)新論壇會議上，臺積電研發(fā)負責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森除了探討未來半導(dǎo)體工藝延續(xù)到0.1nm的可能之外，還宣布了一個重要消息——臺積電已經(jīng)啟動2nm工藝研發(fā)，預(yù)計4年后問世。

　　在臺積電目前的工藝規(guī)劃中，7nm工藝去年已經(jīng)量產(chǎn)，7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術(shù)，目前已經(jīng)投入量產(chǎn)，6nm只是7nm的一個升級版，明年第一季度試產(chǎn)。

　　5nm全面導(dǎo)入EUV極紫外光刻，已經(jīng)開始風(fēng)險性試產(chǎn)，明年底之前量產(chǎn)，蘋果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望采納)，之后還有個增強版的N5P工藝。

　　3nm有望在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)。在3nm之后就要進入2nm工藝了，實際上臺積電今年6月份就宣布研發(fā)2nm工藝了，工廠設(shè)置在位于中國臺灣新竹的南方科技園，預(yù)計2024年投入生產(chǎn)。

　　按照臺積電給出的指標，2nm工藝是一個重要節(jié)點，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23％。

　　不過臺積電沒有透露2nm工藝所需要的技術(shù)和材料，性能、功耗等指標更是無從談起。